R1LP5256ESA-5SI#S1
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
RENESAS
記述:
R1LP5256 - 256Kb アドバンスト LPSRAM
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
R1LP5256E
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
55ns
供給者のデバイスパッケージ:
28TSOP I
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
RENESAS
メモリサイズ:
256Kbit
電圧 - 供給:
4.5V~5.5V
パッケージ/ケース:
28-TSSOP (0.465", 11.80mm 幅)
記憶 の 組織:
32K × 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
SRAM - アシンクロン
アクセス時間:
55 ns
メモリ形式:
SRAM
導入
SRAM - アシンクロンメモリ IC 256Kbit パラレル 55 ns 28-TSOP I
関連製品
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: