TC58BYG2S0HBAI6
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メーカー:
Kioxia America、Inc。
記述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
Benand™
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
25ns
供給者のデバイスパッケージ:
67-VFBGA (6.5×8)
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
Kioxia America、Inc。
メモリサイズ:
4Gbit
電圧 - 供給:
1.7V~1.95V
アクセス時間:
25 ns
パッケージ/ケース:
67-VFBGA
記憶 の 組織:
512M x 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
FLASH - NAND (SLC)
基本製品番号:
TC58BYG2
メモリ形式:
フラッシュ
導入
FLASH - NAND (SLC) メモリIC 4Gbit パラレル 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)
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| 画像 | 部分# | 記述 | |
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