W25R256JWPIQ TR
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
ウィンボンド電子
記述:
IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
メモリサイズ:
256Mbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
SPI
サイクルの時間 - 単語,ページ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
8-WSON (6x5)
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
ウィンボンド電子
時計の周波数:
104 MHz
電圧 - 供給:
1.7V~1.95V
パッケージ/ケース:
8-WDFN 露出パッド
記憶 の 組織:
32M x 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C
テクノロジー:
FLASH - NOR
基本製品番号:
W25R256
メモリ形式:
フラッシュ
導入
FLASH - NOR メモリIC 256Mbit SPI 104 MHz 8-WSON (6x5)
関連製品
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: