R1RW0416DGE-2PI#B1
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メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
12ns
供給者のデバイスパッケージ:
44-SOJ
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
メモリサイズ:
4Mbit
電圧 - 供給:
3V~3.6V
アクセス時間:
12ns
パッケージ/ケース:
44-BSOJ （0.400"、10.16mmの幅）
記憶 の 組織:
256K × 16
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
SRAM
基本製品番号:
R1RW0416
メモリ形式:
SRAM
導入
SRAMメモリIC 4Mbit パラレル 12 ns 44-SOJ
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: