IS66WV51216EBLL-55TLI-TR
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社
記述:
IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
55ns
供給者のデバイスパッケージ:
44-TSOPII
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社
メモリサイズ:
8Mbit
電圧 - 供給:
2.5V | 3.6V
アクセス時間:
55 ns
パッケージ/ケース:
44-TSOP （0.400"、10.16mmの幅）
記憶 の 組織:
512K × 16
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
PSRAM （擬似SRAM）
基本製品番号:
IS66WV51216
メモリ形式:
PSRAM
導入
PSRAM (偽型SRAM) メモリIC 8Mbit パラレル 55 ns 44-TSOP II
関連製品
IS25WP256D-JLLE-TR
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
IS25LP020E-JNLE-TR
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
IS43DR16320D-25DBLI について
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS62WV1288FBLL-45HLI
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
IS61QDB44M18A-300M3L
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
IS43R16320E-6BLI
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43QR16256B-083RBL
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
IS46TR16128C-125KBLA1-TR
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
| 画像 | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
IS25WP256D-JLLE-TR |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
IS25LP020E-JNLE-TR |
IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
IS43DR16320D-25DBLI について |
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
|
|
|
|
IS62WV1288FBLL-45HLI |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
|
|
|
|
IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR |
IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
|
|
|
IS61QDB44M18A-300M3L |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
|
|
|
IS43R16320E-6BLI |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
|
|
|
|
IS43QR16256B-083RBL |
IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
|
|
|
|
IS46TR16128C-125KBLA1-TR |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
|
|
|
IS45S16320D-7BLA1-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
|
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: