DS1230Y-200+
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メーカー:
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート
記述:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
200ns
供給者のデバイスパッケージ:
28-EDIP
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート
メモリサイズ:
256Kbit
電圧 - 供給:
4.5V~5.5V
アクセス時間:
200 ns
パッケージ/ケース:
28DIPモジュール (0.600" 15.24mm)
記憶 の 組織:
32K × 8
動作温度:
0°C~70°C (TA)
テクノロジー:
NVSRAM （不揮発性SRAM）
基本製品番号:
DS1230Y
メモリ形式:
NVSRAM
導入
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 256Kbit パラレル200ns 28-EDIP
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: