71V67903S75BQI8
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
メモリサイズ:
9Mbit
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
165-CABGA (13x15)
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
時計の周波数:
117のMHz
電圧 - 供給:
3.135V~3.465V
アクセス時間:
7.5 ns
パッケージ/ケース:
165-TBGA
記憶 の 組織:
512K × 18
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
SRAM -、SDR同期
基本製品番号:
71V67903
メモリ形式:
SRAM
導入
SRAM - 同期,SDRメモリIC 9Mbit パラレル 117 MHz 7.5 ns 165-CABGA (13x15)
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: