70T633S10BC8
![品質 [#varpname#] 工場](/images/load_icon.gif){kind=icon}
メーカー:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
カテゴリー:
記憶力
仕様
カテゴリー:
集積回路 (IC)
記憶力
記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
10ns
供給者のデバイスパッケージ:
256-CABGA （17x17）
メモリタイプ:
揮発性
Mfr:
レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
メモリサイズ:
9Mbit
電圧 - 供給:
2.4V～2.6V
アクセス時間:
10 ns
パッケージ/ケース:
256-LBGA
記憶 の 組織:
512K × 18
動作温度:
0°C~70°C (TA)
テクノロジー:
SRAM - デュアルポート,非同期
基本製品番号:
70T633
メモリ形式:
SRAM
導入
SRAM - デュアルポート,非同期メモリIC 9Mbit パラレル 10 ns 256-CABGA (17x17)
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: